Hynix dezvolta modulul mobile DRAM de 1Gb

Hynix dezvolta modulul mobile DRAM de 1Gb
Compania Hynix Semiconductor a anuntat ca a reusit sa dezvolte cel mai mic modul de 1Gb adresat dispozitivelor mobile, procesul de fabricatie este de 66nm.
Acest modul mobile opereaza la o frecventa de maximum 200 de MHz ceea ce asigura un transfer de date de 1.6Gb pe secunda la o adresare pe 32 de biti…

Citeste in continuare pe www.hit.ro

HIT.ro
Sursa completa de informare in domeniul tehnologiei: articole, stiri, interviuri, teste hardware, forum, download,etc

Anunțuri

Lasă un răspuns

Te rog autentifică-te folosind una dintre aceste metode pentru a publica un comentariu:

Logo WordPress.com

Comentezi folosind contul tău WordPress.com. Dezautentificare / Schimbă )

Poză Twitter

Comentezi folosind contul tău Twitter. Dezautentificare / Schimbă )

Fotografie Facebook

Comentezi folosind contul tău Facebook. Dezautentificare / Schimbă )

Fotografie Google+

Comentezi folosind contul tău Google+. Dezautentificare / Schimbă )

Conectare la %s

%d blogeri au apreciat asta: